三星 高通同時被訴專利侵權
來源：尚標知識產權 發布時間：2017-01-10 09:37:00 瀏覽：3080
12月1日消息，據外媒報道，韓國科學技術院(KAIST)的知識產權管理公司KAIST IP，已于當地時間11月29日向美國得克薩斯州聯邦法院對三星電子美國法人及格羅方德(GlobalFoundries)、高通(Qualcomm)等3家企業提起專利侵害訴訟，要求對方支付相關半導體技術的專利使用費。
KAIST方面稱，以上三家企業在未經許可的情況下擅自使用了首爾大學電氣信息工程系教授李鐘浩(Lee Jong ho)和KAIST共同擁有的半導體制造工藝技術。
據了解，該技術就是被稱為“FinFET”的超小型晶體管，是智能手機處理器的關鍵技術。FinFET技術不僅可以提高半導體的集成程度，還可以在保持穩定性能的同時降低電力功耗。
目前，該技術已經被多家企業應用在半導體產品中。美國英特爾公司2011年就在產品中使用了FinFET技術，并于2012年通過簽訂合同支付費用的方式正式獲得了特許使用權。
據悉，三星電子和格羅方德、臺灣的TSMC(積電)也以FinFET為基礎制造手機半導體芯片，其中三星電子目前在包括“Galaxy”系列在內的10多款手機型號上都在使用FinFET。另外，世界半導體巨頭高通也一直從三星電子和格羅方德那里得到相關產品的供應。
“三星通過擅自盜用這項發明大大降低了開發時間和成本，不過李鐘浩教授發明者的地位和相關權益卻沒得到補償。”KAIST方面表示，雖然FinFET開發當時提出了協約，但三星電子并沒有接受，在2013年以后開始使用FinFET制造手機半導體后拒絕支付專利使用費。三星方面人士稱，“案件正在訴訟中，因此不便單獨發表立場。”
除了對三星、格羅方德和高通3家企業提起專利侵害訴訟之外，韓國科學技術院還計劃起訴臺灣半導體制造商臺積電。據了解，目前專利侵權證據正在準備當中。
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